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'L22半导体电子论 一半导体的带隙二带边有效质量§6-1半导体的基本能带结构 导带价带｛一般温度下，导带底有少量电子，价带顶有少量空穴，半导体的导电就是依靠导带底的少量电子或价带顶的少量空穴 3、电子－空穴对复合发光导带中的电子跃迁到价带空能级而发射光子的过程，称为电子－空穴对复合发光*一般情况下电子集中在导带底，空穴集中在价带顶，发射光子的能量基本上等于带隙宽度。*在直接带隙半导体中这种发光几率远大于间接带隙半导体 二、带边有效质量1、有效质量导带底附近的电子有效质量和价带顶附近的空穴有效质量是半导体能带的基本参数2、微扰方法计算非简并能带有效质量，在极值点附近，E(k)做Taylor展开：Bloch波满足波动方程 由可得Bloch函数的周期部分满足的普遍方程微扰计算：用已知某处的解求得另一个k处的解（1）对极值点的情况，k=0（点）满足在k=0附近可把作为零级近似，把作为微扰，对非简并 从而得到有效质量（2）对极值点的情况，类似可得3、微扰方法计算非简并能带有效质量当极值点能带简并的情况，要采用相应的简并微扰算法，基本精神是相同的（例如，价带顶的轻、重空穴带） §7-2半导体中的杂质一施主和受主二类氢杂质能级三深能级杂质 本征半导体理想化的纯单晶材料，不存在其它杂质原子，原子在空间的排列也遵循严格的周期性。在这种情形下，半导体中的载流子，只能是从满带(价带)激发到空带(导带)的电子以及满带中留下的空穴。本征激发：常见的是电子热运动，价带电子获得能量跃迁进入导带。电子位于导带底，空穴位于价带顶。本征激发满足n=p，n和p分别代表导带电子和价带空穴的浓度。导带价带Eg 杂质半导体对纯净半导体掺加适当的杂质，也可以提供载流子。施主杂质：提供导带电子受主杂质：提供价带空穴对于IV族元素(硅、锗)，III族元素(硼、铝、镓、铟)是受主杂质，IV族元素(磷、砷、镝)是施主杂质。实验结果证明：杂质是以替位的形式存在硅、锗中。这种含有杂质原子的半导体称为杂质半导体。 一、施主和受主1、施主杂质：N型半导体ET=0T>0导带满带施主杂质在带隙中提供带有电子的能级，电子由施主能级激发到导带远比由满带激发容易得多含施主杂质的半导体主要依靠由施主热激发到导带的电子导电 硅和锗原子最外层都具有四个价电子，恰好与最近邻原子形成四面体型的共价键。以一个硅原子为V族原子磷所代替(图(b))，于是它与近邻硅原子形成共价键后“多余”出一个价电子。这一电子可以视为处于磷离子的束缚之中。这一多余电子受到P+的库仑吸引非常微弱，只需远小于禁带宽度的能量就能使电子脱离P+的束缚成为自由电子，与此同时磷原子被电离成P+。施主杂质的作用 从能量的角度分析，束缚在磷离子上的“多余”电子的能量状态，在能带图上的位置应处于禁带中而又非常接近导带低。这一束缚态称为施主杂质能级(简称为施主能级)。如图所示，导带底和施主能级间的能量差称为施主电离能，施主电离能远小于禁带宽度。一般情况下，杂质原子之间的距离远远大于母体晶格常数，相邻杂质所束缚的电子波函数不发生交叠，因此他们的能量相同。表现在能带图上，便是处与同一水平的分立能级。导带价带EgECEDEV 杂质元素磷砷镝锗0.012eV0.013eV0.0096eV硅0.045eV0.049eV0.039eV施主电离能EI=EC-ED施主电离能EI一般在0.05eV以下，因此室温以可提供足够的热能使施主能级上的电子跃迁到导带。例如：室温下硅的本征载流子浓度为1.51016/m3，如果磷含量为百万分之一(1016/m3数量级)，室温下大约每个磷原子可提供一个导电电子，因此掺杂使载流子浓度增加十万倍。显然，掺加施主杂质后，半导体中的电子浓度增加，n>p，电子为多数载流子，称为n型半导体。 ET=0T>0导带满带受主2、受主杂质：P型半导体杂质提供带隙中空的能级，电子由满带激发到受主能级比激发到导带容易得多含受主杂质的半导体主要依靠满带中的电子激发到受主能级而产生的空穴导电 以硼为例。硼原子只有3个价电子，与近邻硅原子组成共价键时尚缺一个电子。此情形下，附近硅原子价键上的电子将填充硼原子周围价键的空缺，而原先的价键上留下空位，即价带中缺少一个电子而出现一个空穴。硼原子因为接受一个电子而成为负离子。受主的存在也是在禁带中引入能级(EA)，EA的位置接近于价带顶，在一般掺杂水平，也表现为能量相同的一些能级。受主杂质的作用 杂质元素硼铝镓锗0.01eV0.01eV0.011eV硅0.045eV0.057eV0.065eV导带价带EgECEIEV掺加受主杂质后，半导体中的空穴导电占优势，p>n，空穴为多数载流子，称为P型半导体。 二、类氢杂质能级1、类氢杂质能级的掺杂工艺在半导体材料中加入多一个价电子的元素，它们成为施主比如：在硅、锗中加入磷、砷、锑；在Ⅲ－Ⅴ族化合物中加入Ⅵ族元素代替Ⅴ族元素加入少一个价电子的元素，它们成为受主比如：在硅、锗中加入铝、镓、铟；在Ⅲ－Ⅴ族化合物中加入Ⅱ族元素代替Ⅲ族元素 2、类氢杂质能级形成原理2.1施主能级的构成原理加入多一个价电子的原子，在填满满带之外尚多余一个电子，同时比原来的原子多一个正电荷，多余正电荷正好束缚多余的电子，就如同氢原子一样。氢原子波动方程为能量本征值基态能（电离能）基态波函数 考虑到类氢杂质与氢原子的相似性，可以证明对导带极值在点的情况施主杂质的电子波函数为其中是导带底的Bloch函数，而F(r)满足其中m*是导带电子有效质量，是半导体材料的相对介电常数施主电离能为束缚能施主电子电离能与氢原子电离能之比为：施主 2.2受主能级的构成原理与施主能级的构成原理相似，由于要填满原来的电子结构，（如Ⅲ族元素在硅、锗中要与四个近邻原子组成四个共价键），必须加入一个电子这样就使得杂质处多了一个负电荷，同时满带中取去了一个电子，即是多了一个空穴，这个空穴可以被杂质的负电荷所束缚，也类似与氢原子的情形，只是正负电荷对调了束缚能受主*如图所示，一个束缚空穴相当于图中所示受主能级，这是因为，空穴电离意味着产生一个在满带中自由运动的空穴，在能带中这相当需要电离能大小的能量才能使满带顶一个电子激发到受主能级而在满带顶留下一个自由空穴以上方式形成的施主和受主，其束缚能都很小，施主（受主）能级很靠近导带（价带），又称为浅能级杂质 杂质补偿如果同一块半导体材料中同时存在两种类型的杂质，这时半导体的带电类型主要取决于掺杂浓度较高的杂质。如图所示，半导体材料中同时存在施主和受主，其中施主浓度高于受主浓度。施主能级上的电子除填充受主能级外，其它将激发到导带。由于受主的存在使导带电子减少，这种作用称为杂质补偿。导带价带ECEDEVEI 三、深能级杂质半导体中有些杂质和缺陷在带隙中引入的能级较深，如图所示为硅中金的深能级，金在导带以下0.54eV处有一个受主能级，在价带以上0.35eV有一个施主能级 三、深能级杂质*深能级杂质大多数是多重能级，金在硅中就是两重能级。它反映杂质可以有不同的荷电状态，在这两个能级中都没有电子填充的情况下，金杂质是带正电的；当受主能级上有一个电子而施主能级空着的情况，金杂质是中性的；当金杂质施主能级与受主能级上都有电子的情况下，金杂质是带负电的*深能级杂质的附加势能，不是像类氢杂质的介电屏蔽库仑作用那样的长程势，而是作用距离仅为一两个原子间距的短程势 半导体的掺杂—热扩散半导体的掺杂 半导体的掺杂—离子注入半导体的掺杂 6.2半导体中载流子的统计分布半导体中载流子的运动及其对外场的响应决定半导体的许多特性。了解热平衡时载流子在能带中对能量的分布是分析这类问题的基础。本节将讨论不同温度下载流子在能带及浅能级上的统计分布。绝热近似：完全不考虑电子与晶格振动的能量交换。事实上单电子近似的能带论也是建立在绝热近似的框架上的。 电子和空穴的数密度电子是费米子，遵循费米-狄拉克分布，即能量为E的能级在温度为T时被电子占据的几率由费米分布函数描述：导带中电子的数密度：其中gc(E)为导带电子态密度，即单位体积半导体导带中单位能量间隔的状态数。 价带中空穴数密度可表示为：考虑导带底和价带顶均在k空间原点并且具有各向同性的能带关系的简单情形，有如下关系式：价带中空穴占据的几率为就是不为电子所占据的几率，即 根据第三章，电子态密度在能量标度下的表达式：可得导带底和价带顶附近的状态密度： 对于半导体，通常导带中的电子和价带中的空穴数量都很少，因此对于导带有：对于价带有：即费迷分布约化为波尔兹曼分布。 导带电子数密度称Nc为导带电子有效状态密度。 价带空穴数密度称NV为价带空穴有效状态密度。 本征载流子浓度前面我们已经得到导带中电子和价带中的空穴数密度n和p的表达式。由此可得n和p的乘积为：式中Eg=EC-EV。上式表明，在热平衡状态下，导带与价带载流子浓度数密度的乘积只决定于半导体的本征性质，与掺杂等非本征性质无关。 本征半导体中的载流子只能由价带顶附近的电子激发到导带形成(本征激发)，形成本征载流子，对于本征激发(ni为本征载流子数密度)从而有：因此本征载流子密度： 从上式可以看出，一定的半导体材料，其本征载流子浓度ni随温度的升高而迅速增加。不同的半导体材料，在同一温度下，禁带宽度越大，本征载流子浓度就越小。 本征半导体的费米能级由得两边取对数：Ei为禁带中央。从上式可以看出，本征半导体的费米能级基本上处于禁带中央，但随NV和NC的大小和温度T的高低略有升降。 n型半导体中的电子分布n型半导体中，当杂质只是部分电离的时，一些杂质能级就有电子占据着。当施主电离时，电子可以跃迁到导带中的空能级，也可以跃迁到已被一个电子占据的导带能级(自旋相反)。假定施主能级为,杂质浓度是，低温下导带中电子的数目为 定义电离能它的解为得关于n的的二次方程（低温情形）（高温情形）对于受主杂质，空穴数目p有类似的结果。 6.3半导体中的载流子输运现象在热平衡条件下，n型半导体中，被激发到导带的传导电子，已不属于特定的格点或施主，它们可以在整个晶体中作共有化运动，可以近似地看成是质量为me*的自由粒子。在弱电场存在时，每个电子受到电场的作用力F=-eE，在驰豫时间c内沿电场相反方向作加速运动，因此附加了一个不为零的平均速度，成为漂移速度vn。稳定情况下，漂移速度与电场之间的关系为：表明电子的漂移速度和电场强度成正比，其比例因子依赖于驰豫时间和电子有效质量。这个比例因子称为电子迁移率，以符号n表示。 单位：？cm2/V·s类似于传导电子的情况，可以定义价带空穴的迁移率： 迁移率与迟豫时间和有效质量直接相关。其中迟豫时间是由载流子在晶体中所受到的散射有关。晶格散射和杂质散射是两个最重要的散射机制。理论分析表明*，对于晶格散射，cT-3/2，对于杂质散射，cT3/2/NT，NT是总的杂质浓度。也就是说，迁移率受温度和杂质浓度的影响最明显。*理论分析可参考《半导体物理学》，刘恩科等编。 硅和砷化镓材料在室温下的载流子迁移率随杂质浓度的变化。举例：电子和空穴迁移率随杂质浓度增加而降低。低杂质浓度下，迁移率达到最大值；在高杂质浓度下达到最小值。 n型和p型硅的载流子迁移率随温度的变化规律。举例：1、当杂质浓度较低时(1012cm-1)，基本是晶格散射，迁移率随温度增加而减少；2、重掺杂情况下，低温时，杂质散射占主导，迁移率随温度增加而增加。温度升高到一定程度，晶格占主导，迁移率随温度增加而减少。 电导率和载流子浓度的测量 电导率在半导体中电子和空穴都对电流有贡献，电子和空穴漂移所产生的电流密度分别为：半导体中总电流： 根据电导率的定义，E=(1/)j，可得：对于杂质半导体，通常只有一种载流子占主导，两种载流子浓度可能相差几个数量级。因此对n和p型半导体，电导率公式分别可简化为：对于本征半导体，n=p，本征电导率为： 例题：证明在一给定温度下，当电子浓度n=ni(p/n)1/2，空穴浓度p=ni(n/p)1/2时，半导体的电导率为极小。这里ni为本征载流子浓度，和分别为电子和空穴的迁移率。证明:半导体的电导率：利用关联方程：综合上述两方程有： 由取极值，有：得：由于：因此，对应的电导率为极小值。相应极小电导率的空穴浓度可通过关联方程求得，为： 电导率的测量电导率是半导体材料一个关键的物理参数，电导率的精确测量对表征材料性能及器件特性非常重要。常用的方法为四探针测试法(fourpointprobe)。 对于三维尺寸都远大于探针间距的半导体样品，其电阻率为，探针引入点电流源的电流强度为I，则均匀半导体内电场的等电位面为一系列球面。以r为半径的半球面积为2r2，则半球面上的电流密度为：由电导率与电流密度的关系可得这个半球面上的电场强度为：则距点电源r处的电势为： 显然，材料内部各点的电势应为各点电源在该点形成的电势的和。即上图中： 如果四探针处在同一平面、同一直线上，且r12=r23=r34=s。则样品的电阻率为：由于四探针测量与样品的连接非常方便，无需焊接，不会破坏样品表面，因此是目前最常用的一种测量方法。 对于一n型半导体，沿X方向施加外电场Ex，此时半导体内存在电流jx。在Z方向再施加一磁场B，产生洛仑兹力在-Y方向作用到电子上。由于电流无法在-Y方向流出，就聚集在导体-Y方向一侧。这样就在Y方向上建立一个电场，阻止电子在Y方向上的运动和聚集。在平衡时，Ey对载流子的作用将抵消洛仑兹力，电流将只沿Ex方向霍尔效应载流子浓度的测量 霍尔系数由于在平衡时，Ey对载流子的作用将抵消洛仑兹力，因此它与外加磁场B以及沿导线方向的电流jx成正比，因此人们定义RH=Ey/jxB，RH称为霍尔系数在稳态时：对于p型半导体，空穴占主导，如果不计电子，注意到空穴电荷为e，则有： 上述分析表明，霍尔系数的符号可以判断半导体中载流子的类型，其数值的可确定载流子的浓度。因此霍尔效应是鉴定半导体材料的基本方法。通常已知电流和磁场，测量霍尔电压，VH=EyW，W为样品在y方向的厚度,利用RH=Ey/jxB，可得：实际测量A为样品在x方向的横截面积。上式右边均为可测量量，因此可以直接确定载流子浓度和类型。 5.4非平衡载流子 半导体处于热平衡时，电子和空穴的浓度满足：当存在外部影响时，例如温度不均匀、光照射，半导体中载流子的浓度将偏移平衡值。下面我们以光照为例来说明半导体偏离热平衡状态的情形。光子能量h必须满足？条件，价带电子吸收光子能量跃迁到导带，形成电子空穴对，在稳态情形下：非平衡载流子的产生n和p称为非平衡载流子浓度。 虽然n=p，但对于多数载流子和少数载流子，非平衡载流子的所产生影响不同。非平衡多子浓度相对平衡值往往可以忽略，而非平衡少子则有可能比平衡值大若干个数量级。以室温下n型半导体为例，假设施主浓度为1016cm-3，可近似取n0=1016cm-3，p0=104cm-3。如对表面进行光照，使表面处非平衡载流子浓度n=p=1010cm-3。可以明显看出，n只增加了多子浓度的百万分之一，而p则使少子浓度增加一百万倍。因此，产生非平衡载流子的过程往往被称为非平衡少子的生成或注入。 稳定状态下载流子的复合和产生是处在一个动态平衡状态。当撤消光照后，复合过程将占优势，从而载流子浓度将随时间衰减。这一过程可用一个时间参数来表征，使p随时间变化满足：上式中，称为非平衡少子的平均寿命，它表征的是非平衡少子减少到原值的1/e所经历的时间。从上式可以看出，非平衡载流子浓度随时间按指数规律衰减。 非平衡载流子的复合机理在前面提到非平衡载流子浓度的衰减(少子的寿命)取决于复合过程。载流子的复合机理？直接复合：导带中的电子释放近似等于禁带宽度Eg的能量跃迁入价带中的空状态而成为价带中的电子(能量变化而非空间位置变化)。间接复合：电子在深能级与导带或价带间的跃迁。 直接复合直接复合包含三个可能过程：1、辐射复合2、无辐射复合3、俄歇式复合 辐射复合受激态末态光子电子能量以发射光子的形式释放，光子能量hEg。 无辐射复合受激态末态声子电子的能量转移给晶格振动，即转变为声子。声子：晶格振动的能量是量子化的，与光子相仿，这种能量量子称为声子。 俄歇式复合空穴电子将大于Eg的能量转移给另一个电子，自身与价带空穴复合，而后者由于获得能量而受激至高能态甚至逸出到半导体外。真空能级E3E2E1E4EC 间接复合涉及深能级的复合是间接复合。促进载流子复合的深能级称为复合中心。电子俘获、空穴俘获电子发射、空穴发射ABCD 涉及复合中心的间接复合过程与下列四个具体过程有关导带电子落入复合中心，即复合中心俘获电子；(B)复合中心向导带发射电子；(C)复合中心向价带发射电子，即复合中心俘获空穴；(D)复合中心俘获价带电子，即复合中心向价带发射空穴。ABCDErECEV 如复合中心的浓度为Nr，其上电子浓度为nr，则复合中心俘获电子(过程A)的俘获率---单位体积的半导体单位时间内俘获的导带电子数为：cc称为复合中心对电子的俘获系数，n为非平衡态的导带电子浓度。复合中心对导带发射电子(过程B)的发射率(单位时间内向导带发射电子浓度)可表示为：ec称为电子的发射系数，Nc则为导带底有效状态密度。n为非平衡态的导带电子浓度。 复合中心向价带发射电子(过程C)的发射率可表示为：p为非平衡态的价带空穴浓度，(只有价带有空穴才可能向价带发射电子)，ev为复合中心向价带的发射系数。复合中心俘获价带电子(过程D)的俘获率表示为：NV为价带有效状态密度。 在稳定情形下，A、B、C、D四个过程必须保持复合中心上电子数不变。其中A和D过程造成复合中心上电子的积累，B和C过程造成复合中心上电子的减少，根据平衡原理，有：ABCDErECEV 考虑稳定情形下：(1)由平衡态时的微观可逆性原理，A和B过程必须相抵；(2)考虑掺杂浓度不是很高时，通常Nc>>n0，因此上式可简化为：代入平衡时导带和杂质能级电子浓度： 可得：令:n1的物理意义?n1的物理意义：当EF与复合中心能级重合时导带中的电子浓度。 同样，根据C和D过程的微观可逆性原理，在NV>>p0，的情形下可得：p1的物理意义?p1的物理意义：当EF与复合中心能级重合时价带中的空穴浓度。 将上面推导结果代入上式，可得：由此可得稳态非平衡情形复合中心能级Er上的电子浓度：稳定状态下，载流子的复合意味着导带和价带消失相等数目的电子和空穴，CC-EC为电子的复合率，EV–CV为空穴的复合率，则有：CC-EC=EV–CV=R。 CC-EC=EV–CV=R将CC、EC、EV、CV和nr将表达式代入上式，并考虑：可得：从上式可以看出，在平衡态，np=n2i，R=0，说明载流子数目不随时间变化，就不存在载流子寿命的概念。 但在非平衡情形下，n=n0+n，p=p0+p，且n=p，可写为：由于非平衡载流子寿命的定义：则：上式即为少子寿命与复合中心的关系，称为肖克利-里德公式。 6.5p-n结 p-n结p-n结是半导体中不同区域分别掺以受主型杂质和施主型杂质形成。+-pnn区电子为多子，空穴为少子；p空穴为多子，电子为少子。n和p区各有不同的费米能级(?)。p型n型ECEFEVECEFEV p-n结的内建电势差电子和空穴的相互扩散，n区边界为正电荷积累，p区边界为负电荷积累，形成n区指向p区的内建电场。内建电场对载流子的库仑力阻止扩散的进行，当扩散电流和反向漂移电流相等时，p-n结处于平衡状态，p-n结具有同样的费米能级。此时n和p区的电势差VD称为内建电势差。p型n型ECEFEVECEFEV+-pn p型n型ECEFEVeVD耗尽区：平衡时费米能级处在禁带中央，因此电子和空穴密度都很低，近似为势垒区内载流子耗尽。势垒区电子和空穴的相互扩散，n区边界为正电荷积累，p区边界为负电荷积累，形成n区指向p区的内建电场。势垒区形成一个高阻区域。 内建电势差表达式的推导设p区和n区均为均匀掺杂，杂质浓度分别为Na和Nd。在势垒区之外，p区导带底比n区导带底高出eVD。则n区电子浓度和p区电子浓度之间存在如下关系式：p型n型ECEFEVeVD 对同一种材料同样地，对空穴也有 在室温附近，本征激发不明显，但杂质基本全部电离。由于则有： p-n结的整流特性在p区和n区间接上电极，便成为一个二极管。当对p-n结施加电压时，由于势垒区是高阻区，因此，电压将全部降在势垒区。 施加正向电压当外加电压为Vnp0。即形成了非平衡少数载流子，称为非平衡载流子的电注入。非平衡载流子浓度在势垒边为：同理，在n区势垒边注入的非平衡少子(空穴)的浓度为： 在势垒边界积累的少子必向p区和n区内部扩散，以n区为例，少子梯度为：则扩散流密度可表示为：其中Dp为空穴的扩散系数，负号表示扩散电流指向浓度降低的方向。由扩散电流和非平衡载流子寿命的关系：p-n结中的正向电流密度 有：解上述方程：则：lp称为扩散长度。 由于电子扩散电流与空穴扩散电流方向相同，因此流过p-n结的正向流密度为：同理可得p区非平衡少子的扩散流密度：从上式我们可以看出，在不考虑体电阻影响的前提下，正向电流随正向电压迅速上升。 施加反向电压如对p-n结施加反向电压，上面的讨论过程仍然适用。只是外加电压取负值。从下式可以看出，当外加电压由零开始增加，下式最右边的因子很快降为1而不在随外加电压变化，即反向电流迅速饱和，而且饱和电流数值非常小。由此可见，在正反电压下流过p-n结的电流数值差异悬殊，正向表现为低阻导通，而反向表现为高阻阻断态。可作为检波和整流应用。 增加反向电压时外加电压与内建电压极性相同，增加了结区的漂移电流，使之超过扩散电流，其差值即构成反向电流。由于反向漂移电流是由少子构成，因此数值很小。施加反向电压时势垒增高，任何处于势垒边界的少子均被势垒高电场“扫”入对方。以p区为例，势垒边界电子浓度接近为零，p区内部少子就要向边界扩散，一抵达势垒边，立即就被“扫”入n区，构成反向电流的一部分。+-pn 同样，n区一侧的少子空穴向势垒边的扩散构成反向电流中空穴部分。上述两项电流之和为反向饱和电流：np0和pn0都是平衡少子浓度，数值很小，因此反向饱和电流数值非常小。 p-n结电压-电流特性某一反向电压下反向电流的突然增加是由于高电场使势垒区击穿。 6.6金属-氧化物-半导体(MOS)结构V金属氧化物半导体P型半导体硅，半导体接地，金属端（常称栅极）接正电位，在半导体中产生由上向下的电场。在电场作用下，硅和氧化物的交界处，空穴被赶走，留下带负电荷的电离受主杂质，形成空间电荷区，厚度为d。如果栅极电压为负，情况如何？E 理想的MOS表面势带负电荷的电离受主杂质形成空间电荷区，其内存在电场，其电势是逐渐变化的，因此该区域内的半导体能带发生弯曲。在空间电荷区内，价带边离费米能级EF比较远，表明在表面附近空穴被赶走，空穴浓度极低，因此该区是缺乏载流子的高阻区，类似与p-n结的势垒区，也是载流子耗尽区。 当金属上施加的正电压增大，表面势相应增大，能带更为弯曲。当费米能级高于表面处的本征能级EiB(禁带正中央)，表面附近电子浓度将高于空穴浓度，由p型转换成n型，表面半导体导电类型与体内相反，所以称该区域为反型层。因此，形成反型层的条件为： N沟道MOS晶体管MOS结构常被用来制作能放大电信号或作信息存储单元的MOS晶体管。源极（S）、漏极（D）、栅极（G）。 工作原理相当于两个背靠背的p-n结，施加电压时，其中一个p-n结处于正向则另一个必处于反向，因此流过的电流很小。施加栅极电压，形成反型层，大量电流通过。因此可以用加在栅极上的电压来控制流过源-漏之间的电流，从而放大栅极上的电信号。n沟道和p沟道，只有一种载流子输运，称为单极型晶体管。 反型层中的二维电子气E1E2E3最低子带被占据的情况称为量子极限，MOS反型层成为理想二维电子气体 案例2000年1月，甲、乙、丙三人合伙开办了合伙企业，甲出资3万元、乙出资2万元，丙以劳务出资，合伙协议订立得比较简单，未约定利润分配和亏损分担比例，只约定三人共同管理企业。2000年6月，甲想把自己的一部分财产份额转让给丁，乙同意但丙不同意，因多数合伙人同意丁入伙成为新的合伙人，丙便提出退伙，甲、乙表示同意丙退伙，丁入伙。此时，该合伙企业欠长城公司货款3万元一直未还。2000年10月，甲私自以合伙企业的名义为其朋友的4万元贷款提供担保，银行对甲的私自行为并不知情。2001年4月，由于经营不善，该合伙企业宣告解散，企业又负债9万元无法清偿。根据案情，请回答下列问题：1．丁认为长城公司的欠款是其入伙之前发生的，与自己无关，自己不应该对该笔债务承担责任，丁的看法是否正确？2．丙认为其早已于2000年6月退伙，该合伙企业的债务与其无关，丙的看法是否确？3．若甲的朋友到期不能清偿贷款，银行是否有权要求合伙企业承担担保责任？4．若其他合伙人在得知甲私自以合伙企业的财产提供担保后一致同意将其除名，该决议是否有效？5．在合伙企业清算后，长城公司、贷款银行和该合伙企业的债权人认为乙个人资金雄厚，要求其做全部的清偿，这些债权人的要求是否可以得到支持？6．乙满足了合伙企业债权人的要求后，甲的朋友向乙支付了4万元，乙应如何向其他合伙人进行追偿？ 第二章合伙企业法第一节概述一、施行时间：97年8月1日；07年6月1日二、含义指自然人、法人和其他组织依照本法在中国境内设立的普通合伙企业和有限合伙企业。普通合伙企业——由普通合伙人组成，合伙人对合伙企业债务承担无限连带责任。本法对普通合伙人承担责任的形式有特别规定的，从其规定。有限合伙企业——由普通合伙人和有限合伙人组成，普通合伙人对合伙企业债务承担无限连带责任，有限合伙人以其认缴的出资额为限对合伙企业债务承担责任 第二节普通合伙企业一、合伙企业设立的条件案情简介2007年4月，淮工三个同学张雪与王紫藤、李靖等3个朋友计划共同出资合伙经营一家酒吧，并决定：张雪与王紫藤各出资5000元，李靖1万元。利润分配均为三分之一，在淮工校内设立。王紫藤向朋友借款4000元，购买酒吧办公用品。后王紫藤提出，这4000元债务每人承担三分之一。张雪与李靖都不同意。发生争议。1、合伙企业设立条件是什么？2、本案之酒吧设立，符合法律规定么？3、4000元借款如何处理？4、约定利润均为三分之一是否有效？ 1、有二个以上合伙人；国有独资公司、国有企业、上市公司以及公益性的事业单位、社会团体不得成为合伙人2、有书面合伙协议；3、有合伙人认缴或者实际缴付的出资；4、有合伙企业的名称和生产经营场所；5、法律、行政法规规定的其他条件。 二、合伙企业财产（一）合伙企业财产的构成1、合伙人的出资；2、以合伙企业名义取得的收益；3、依法取得的其他财产。（二）财产份额的转让内部转让：应当通知其他合伙人。外部转让：须经其他合伙人一致同意，在同等条件下，其他合伙人有优先购买权；合伙协议对转让和优先购买权另有约定的除外。（三）财产份额的出质须经其他合伙人一致同意；未经其他合伙人一致同意，其行为无效，由此给善意第三人造成损失的，由行为人依法承担赔偿责任。 三、合伙事务执行（一）合伙人对合伙企业事务的管理合伙人对执行合伙事务享有同等的权利。1、委托一个或者数个合伙人对外代表合伙企业，执行合伙事务2、合伙人分别执行合伙事务的（二）合伙人行为的限制竞业禁止：合伙人不得自营或者同他人合作经营与本合伙企业相竞争的业务。自我交易：合伙人不得同本合伙企业进行交易（合伙协议另有约定或者经全体合伙人一致同意除外）。合伙人不得从事损害本合伙企业利益的活动。（三）聘任合伙人以外的经营管理人员（四）合伙企业的利润、亏损承担 四、合伙企业与第三人关系（一）与善意第三人的关系对合伙人执行合伙事务、对外代表合伙企业权利的限制，不得对抗善意第三人。（二）合伙企业债务1、对外——合伙企业对其债务，应先以其全部财产进行清偿。合伙企业不能清偿到期债务的，合伙人承担无限连带责任。2、内部——合伙人清偿数额超过其亏损分担比例的，有权向其他合伙人追偿。（三）双重优先原则双重优先权原则，是指合伙人个人的债权人优先于合伙的债权人从合伙人的个人财产中得到满足，合伙债权人优先于合伙人个人的债权人从合伙财产中得到满足。 五、入伙与退伙朱某与甲、乙两人商议合伙开办一小食品加工厂，三人商定各出资2万元，订立了书面协议。在准备生产过程中，发现资金仍然不够，朱某于是动员胞弟朱丙支持他们2万元。朱丙表示出资可以，但要参加合伙的盈余分配。经朱某与甲乙两合伙人商议，对朱丙参加盈余分配表示同意，但约定朱丙不得参与合伙的经营活动，正式写下书面协议。小食品加工厂成立1年后，朱丙了解到该厂经营情况不景气，就以父亲生病缺钱为由，要求抽回他的2万元。朱某不答应。 李某与郝某于各出资5万，设立了福顺昌挂面厂。挂面厂建好后，经营状况相当好，每月利润有2万元。郝某见有利可图，又与刘某各出资15万元，兴建了瑞芙祥挂面厂，该厂与永兴厂相距一条街。由于瑞芙祥挂面厂规模大，流水线生产，成本很低，不久就占领了大部分当地市场份额，福顺昌挂面厂几乎处于半停产状态，给李某造成了极大的损失，而纪某却从瑞芙祥挂面厂获得了丰厚的利润。李某与郝某交涉未果。请问：1、纪某的做法合法吗？违反了合伙企业法的什么规定？上述内容有无不妥之处？2、对此，依合伙企业法应该任何处理？3、李某该怎么办？ （一）入伙1、程序除合伙协议另有约定外，应当经全体合伙人一致同意，并依法订立书面入伙协议。订立入伙协议时，原合伙人应当如实告知原合伙企业的经营状况和财务状况。2、新合伙人的权利和义务新合伙人与原合伙人享有同等权利，承担同等责任；入伙协议另有约定的除外。新合伙人对入伙前合伙企业的债务承担无限连带责任。（二）退伙1、自愿退伙条件：合伙协议约定合伙期限，在合伙企业存续期间；情形：（1）合伙协议约定的退伙事由出现；（2）经全体合伙人一致同意；（3）发生合伙人难以继续参加合伙的事由；（4）其他合伙人严重违反合伙协议约定的义务。 2、通知退伙条件：合伙协议未约定合伙期限；合伙人退伙不给合伙企业事务执行造成不利影响；提前30日通知其他合伙人。3、当然退伙（退伙事由实际发生之日为退伙生效日）（1）作为合伙人的自然人死亡或者被依法宣告死亡；（2）个人丧失偿债能力；（3）作为合伙人的法人或者其他组织依法被吊销营业执照、责令关闭、撤销，或者被宣告破产；（4）法律规定或者合伙协议约定合伙人必须具有相关资格而丧失该资格；（5）合伙人在合伙企业中的全部财产份额被人民法院强制执行。4、除名退伙条件：经其他合伙人一致同意情形：（1）未履行出资义务；（2）因故意或者重大过失给合伙企业造成损失；（3）执行合伙事务时有不正当行为；（4）发生合伙协议约定的事由。 六、合伙企业解散与清算（一）合伙企业的解散。任意解散；强制解散。合伙企业有下列情形之一时，应当解散：1．合伙协议约定的经营期限届满，合伙人不愿意继续经营的；2．合伙协议约定的解散事由出现；3．全体合伙人决定解散；4．合伙人已不具备法定人数；5．合伙协议约定的合伙目的已经实现或者无法实现；6．被依法吊销营业执照；7．出现法律、行政法规规定的合伙企业解散的其他原因。（二）合伙企业清算：确定清算人、通告债权人、清理财产并编制文件、处理未了事务、清理债权与债务、处理剩余财产、办理注销登记等。 1．清算人的确定2．清算人的职责（三）清偿顺序1．合伙企业的财产首先用于支付合伙企业的清算费用。2．合伙企业的财产清偿顺序如下：3．合伙企业财产依法清偿后仍有剩余，对此剩余的财产，如果合伙协议有约定，则依约定的比例进行分配。合伙协议未约定分配比例的，则由各合伙人平均分配。（四）合伙企业清算后资不抵债的处理合伙企业解散后，原合伙人对合伙企业存续期间的债务仍承担连带责任。但这种责任的承担是有期限的，即合伙企业解散后的五年之内。如果债权人在合伙企业解散后的五年内没有主张债权，原合伙人的清偿责任自动消灭。 七、特殊的普通合伙企业（一）涵义以专业知识和专门技能为客户提供有偿服务的专业服务机构型合伙企业。（二）名称中应当标明“特殊普通合伙”字样。（三）责任承担方式 案例康乐民与农效忠签约合伙经营金房子工艺品商店。合同规定：康乐民出资15万元。农效忠出资10万元。利润按6：4分成。营业期5年。后，金房子工艺品商店与远洋培训中心签订了一份购销合同合同价款为5万元。签约后，远洋培训中将货款汇入金房子工艺品商店账户。金房子工艺品商店即不能供货，又借口不予退款。金房子工艺品商店暂时停业。远洋培训中心要求康乐民退款5万元，遭到拒绝。远洋培训中心又要求农效忠退款5万元，也遭到拒绝。远洋培训中心又要求农效忠与康乐民各退款2.5万元，也遭到拒绝。遂起诉于法院。问：1、远洋培训中心要求康乐民退款5万元，要求农效忠退款5万元，要求农效忠与康乐民各退款2.5万元，那种要求符合法律规定？2、金房子工艺品商店、康乐民、农效忠如何承担债务责任？为什么？3、金房子工艺品商店属于哪种合伙？4、合伙有哪些形式？ 第三节有限合伙企业一、合伙企业设立的条件1、有二个以上五十个以下合伙人；1、劳务不能作为出资.二、合伙企业财产有限合伙人可以将其财产份额出质；但是，合伙协议另有约定的除外。三、合伙事务执行（一）合伙人对合伙企业事务的管理1、管理权有限合伙人不执行合伙事务，不得对外代表有限合伙企业 （二）有限合伙人行为限制的放宽1、有限合伙人可以同本有限合伙企业进行交易；但是，合伙协议另有约定的除外。2、有限合伙人可以自营或者同他人合作经营与本有限合伙企业相竞争的业务；但是，合伙协议另有约定的除外。四、合伙企业形式及合伙人性质的变化（一）合伙企业形式的变化有限合伙企业仅剩有限合伙人的，应当解散；有限合伙企业仅剩普通合伙人的，转为普通合伙企业。（二）合伙人性质的变化1、程序普通合伙人转变为有限合伙人，或者有限合伙人转变为普通合伙人，应当经全体合伙人一致同意；但是，合伙协议另有约定的除外。2、责任有限合伙人转变为普通合伙人的，对其作为有限合伙人期间有限合伙企业发生的债务承担无限连带责任。普通合伙人转变为有限合伙人的，对其作为普通合伙人期间合伙企业发生的债务承担无限连带责任 【案情】华伦公司是由甲、乙、丙3人各出资5万元组成的合伙企业，合伙协中规定了对利润分配和亏损的分担办法：甲分配或分担3/5，丙、乙各自分配或分担1/5，争议由合伙人通过协商或者调解解决，不允许向仲裁解决，也不许通过诉讼解决。该合伙企业的负责人是甲，对外表该合伙企业，合伙企业经营汽车配件生产、销售、经营期限为2年，名称为大发汽车配件厂。[问题]1.上述内容有无不妥之处？2.甲在担当合伙企业负责人期间，能否与王某再合作建一个经营配件的门市部，并将门市部的货卖给大发汽车配件厂？3.假如合伙协议中明确规定，甲不得代表合伙企业签订标的额10万以上的合同，后来甲与某机械厂签订了12万元的合同，此合同是否有效？ 甲、乙、丙、丁计划成立一个合伙企业。他们在草拟合伙协议时，甲说出资为现金12万元，并参与日常工作，按劳务作价5000元；乙出资为现金30万元，由于手中现金紧张，声明其中50%，即15万元，在合伙企业成立半年后才能缴付，并且他不同意甲日常工作，按劳务作价5000元；丙出资汽车一辆，不办理过户，仅以使用权出资，作价9万元；丁提供经营场所，以2所房屋的使用权出资，作价10万元。约定经营期3年。合伙企业于2007年4月1日成立，并且经营顺利。半年以后，丙在为合伙企业运货的归途中翻车，车毁人亡。其子要求赔偿汽车价款25万元，并代替其父成为合伙人。甲、乙、丁仅仅知道丙之子刚刚刑满出狱，对其不甚了解，不同意其成为合伙人，但不知汽车是否该赔。 又过了2个月，乙的债权人张某，也是合伙企业的客户，向合伙企业主张：乙拖欠他15万元，至今不还，所以，他欠合伙企业的14万5千元货款也不还了，相互抵消，5千元的差额也不要了。2008年春天，合伙企业失火，将1所房屋烧毁。丁要求赔偿其损失。甲认为合伙企业已经没有什么前途，提出退火，其他几个合伙人不同意。在一次会上，甲又提出转让其出资份额，将其出资份额转让给李某，丁不同意。会后，甲单独与丁协商，将其出资份额转让给丁，丁同意了。事后乙知道了，坚决反对。合伙企业解散已是不可避免。于是，请万事通律师事务所律师曾国静咨询解散清算事宜。 1、甲以劳务作价5000元出资，是否可以？2、如何选任清算人？3、如何认定乙的出资？4、甲是否可以退火？5、丁是否可以房屋的使用权出资？6、在清算期间，如果全体合伙人以个人财产承担清算责任后，仍不能清偿合伙企业的债务，如何处理。7、合伙企业是否应该赔偿汽车价款25万元？8、财产按照什么顺序清偿；9、丙之子是否可以成为合伙人？10、乙反对甲将其出资份额转让给丁，反对是否有效？11、张某是否可以向合伙企业主张乙拖欠他15万元债款？12、甲是否可以将其份额转让给李某？13、合伙企业失火，将1所房屋烧毁。应该由谁承担损失赔偿责任？ 一、2007年11月22日A房产公司就一住宅建设项目进行公开招标，B建筑公司与其他三家建筑公司共同参加了投标。结果由B建筑公司中标。2007年12月14日，A房产公司就该项工程建设向B建筑公司发出中标通知书。该通知书载明：工程建筑面积74781m2，中标造价人民币8000万元，要求12月25日签订工程承包合同，12月28日开工。中标通知书发出后，B建筑公司按A房产公司的要求提出，为抓紧工期，先做好施工准备，后签工程合同。A房产公司同意了这个意见之后，B建筑公司开进了施工队伍，平整了施工场地，将打桩架运入现场，并配合A房产公司在 12月28日打了两根桩，完成了项目的开工仪式。但是，工程开工后，还没有等到正式签订承包合同，双方就因为对合同内容的意见不一而发生了争议。A房地产公司要求B建筑公司将工程中的一个专项工程分包给自己信赖的C公司，B建筑公司拒绝。12月31日，A房产公司明确函告B建筑公司：“将另行落实施工队伍。”B建筑公司只得诉法院，要求赔偿损失560万元。问：1、合同是否成立？2、如果B建筑公司的投标文件与招标文件不相同，而A房产公司发出了中标通知书，合同是否成立？3、A房产公司是否应该承担责任？如果承担责任，承担什么责任？ 阜阳市颖东区老庙镇房屋拆迁工程队（以下简称拆迁队）为中房集团天津房地产开发公司（以下简称中房集团）与案外人合作开发的坐落于天津市塘沽区福建北路福苑小区二号楼地基拆除工程项目施工。2006年2月23日，拆迁队的负责人朱某某与中房集团派驻该项目的负责人及工作人员杨某某、阮某某、王某某共同签署了“关于福苑小区二号楼地基处理会议纪要”，约定了总工程款18.3万元。2006年3月26日，拆迁队撤离施工现场，双方未办交接手续。此后，中房集团房支付拆迁队5万元，余款迟迟未付。为此，拆迁队起诉要求中房集团房地产公司付工程欠款 13.3万元。为支持其主张，老庙镇拆迁队提供了“关于福苑小区二号楼地基处理会议经要”、福苑小区公开招标公告、天津市塘沽区招标工程办公室的存档文件以及收取中房集团房地产公1万元工程款的收据等证据。中房集团房则主张涉诉工程不是拆迁队施工，在“关于福苑小区二号楼地基处理会议经要”中签字的杨某某、阮某某、王某某并非我单位的工作人员，也没有本单位的授权，拆迁队提供的收款收据是其单方所为，不具有法律效力，且拆迁队的诉讼请求已超过诉讼时效，请求驳回其诉讼请求。为支持其主张，中房集团房地产公司提供了其单位工作人员的证人证言。问：1、合同是否成立？2、合同是否生效？3、工程款是否应该支付？4、证人的效力如何？ 2010年3月，大三学生李西施设立了个人独资企业李西施摄影工作室，登记时以其父母给的5万元作为出资。聘请乙管理企业事务，凡乙对外签订标的额超过1万元以上的合同，必须经其同意。4月10日，乙未经同意，以企业的名义向丙购入价值2万元的货物。7月4日，企业亏损，不能支付到期丁的债务，决定解散该企业，进行清算。经查，企业和李西施的资产及债务债权情况如下：1、企业欠交税款3000元，欠乙工资5000元，欠丁10万元；2、企业的银行存款1万元，实物折价8万元；3、李西施个人可执行的财产价值2万元；4、其父母有存款10万？；4、如果没有解散该企业，9月，李西施与戊签订了《李西施摄影工作室转让协议》，约定：“李西施以3万元将李西施摄影工作室转让给戊，戊不承担转让前企业经营期间的任何债权债务。”10月，经工商管理部门批准，办理了变更登记。。问：1、乙于4月10日以企业名义向丙购买价值2万元货物的行为是否有效？2、9月，该企业急需设备。乙自行做主将自己的一套二手设备以1万元的价格卖给该企业。使用不到2个月，该设备报废，致使企业不能履行对王某的合同，并承担了违约金5000元。如何处理？3、如何满足丁的债权请求？李西施是否因清算完成而免责？丁是否可以要求李西施的父母偿还债务；4、债权人可以要求戊承担责任吗？'